XAFS 中外在损耗与内在损耗的干涉
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
X 射线吸收精细结构 (XAFS) 中外在损耗与内在损耗之间的干涉在格林函数形式体系内进行了处理，无需显式参考末态。该方法利用激发的准玻色子表示以及电子与准玻色子之间相互作用势的微扰理论。这些损耗导致主准粒子峰的不对称展宽，以及谱函数中与能量相关的卫星峰。X 射线吸收谱 (XAS) 随后由有效谱函数对单电子截面的卷积给出。结果表明，外在损耗与内在损耗在激发阈值附近趋于抵消，相应地，主峰的强度增加。在高能区，该理论渡越到突变近似。这些结果因此解释了 XAS 中观察到的多电子激发的微弱性。该方法被用于估算 XAFS 中超出通常平均自由程的多体修正，使用了谱函数上的相子和。谱函数的不对称性在 XAFS 公式中引起了额外的多体相移。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110643,
title = {Interference between Extrinsic and Intrinsic Losses in XAFS},
author = {L. Campbell and L. Hedin and J. J. Rehr and W. Bardyszewski},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110643},
year = {2007}
}
备注
14 pages, 7 figures (LaTeX-RevTeX4). Submitted to Physical Review B