多功能材料中的界面驱动相分离：以GeMn铁磁半导体为例
材料科学
2012-03-26 v2
摘要
我们利用广泛的第一性原理模拟，展示了界面在半导体多功能材料中观察到的相分离机制中所起的主要作用。我们将其与过饱和AlCu合金中观察到的析出序列进行类比，并在这一新背景下替换了Guinier-Preston区。提出了一类新材料——α相，以理解GeMn系统中观察到的共格析出物的形成。对这些相以及文献中通常考虑的结构，分析了形成能与界面能之间的相互作用。通过理论和实验论据评估了α相的存在性。
引用
@article{arxiv.1203.2417,
title = {Interface-driven phase separation in multifunctional materials: the case of GeMn ferromagnetic semiconductor},
author = {Emmanuel Arras and Frédéric Lançon and Ivetta Slipukhina and Éric Prestat and Mauro Rovezzi and Samuel Tardif and Andrey Titov and Pascale Bayle-Guillemaud and Francesco D'Acapito and André Barski and Vincent Favre-Nicolin and Matthieu Jamet and Joël Cibert and Pascal Pochet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.2417},
year = {2012}
}