基于 HgTe--CdHgTe 量子阱异质结构的带间红外光电探测器
材料科学
2018-01-24 v1
摘要
我们计算了带间 HgTe-CdHgTe 量子阱红外光电探测器（QWIPs）的特性。由于电子被捕获进入量子阱的概率很小，带间 HgTe-CdHgTe QWIPs 可展现出非常高的光电导增益。我们的分析表明，与传统的 CdHgTe 光电探测器和 AB 异质结构相比，这些器件具有显著潜在优势。
引用
@article{arxiv.1801.07396,
title = {Interband infrared photodetectors based on HgTe--CdHgTe quantum-well heterostructure},
author = {V. Ya. Aleshkin and A. A. Dubinov and S. V. Morozov and M. Ryzhii and T. Otsuji and V. Mitin and M. S. Shur and V. Ryzhii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.07396},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 6 figures