将基于 GaAs 的纳米机械相位 shifter 与量子点单光子源集成

我们演示了一个小型化 electromechanical 相位 shifter，采用制造于悬挂 GaAs 膜上的 compact active 长度 $10\:\mu \text{m}$， offering 与量子点单光子源的多样集成。该相位 shifter基于 slot 模态波导，其槽宽可通过静电力控制，实现较大的有效折射率变化 $\Delta n_\text{eff} > 0.1$。我们观察到最高可达 3$\pi$ 相位调制，施加 10.6 V 偏置电压，器件的性能指标 $V_{\pi}L = 5.7\cdot 10^{-3} \text{V}\cdot \text{cm}$。与马赫-齐耶干涉仪（MZI）集成后，进一步实现了在低温下的单光子路由，最大可达 24 \text{dB} 的消除比。该器件 enables 对量子发射器进行高级操控，并实现可重构的量子光子集成电路。