硅中工作的氦气集成微等离子体
仪器与探测器
2016-05-17 v1 等离子体物理
摘要
在硅微反应器中制备了在氦气中以直流状态工作的微等离子体阵列。利用洁净室设施和半导体加工技术制作了阴极边界层（CBL）型微器件。研究了具有50或100 m直径空腔的微放电阵列的点火。考察了两种不同结构（各向同性刻蚀或各向异性刻蚀空腔）和各种条件（两种不同电压极性、压力等）。在1000 torr下可并行点燃100个直径为50 m的微放电。在高电流下，样品边缘出现了一些寄生和瞬态火花。当极性反转时（阴极侧对应开口电极），需要更大的电流来点亮所有微放电。操作后，在阳极侧孔周围获得了热影响区。
引用
@article{arxiv.1604.08821,
title = {Integrated micro-plasmas in silicon operating in helium},
author = {Remi Dussart and Lawrence J. Overzet and P Lefaucheux and Thierry Dufour and M Kulsreshath and Monali Mandra and Thomas Tillocher and O Aubry and S Dozias and P Ranson and M Goeckner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.08821},
year = {2016}
}