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高度无序 s 型超导体中的非均匀配对

无序系统与神经网络 2013-05-29 v1 强关联电子

摘要

我们研究了一个在大范围无序条件下存在的二维 s 型超导体模型。首先采用 Bogoliubov-de Gennes (BdG) 方法,指出随着无序程度的增加,配对幅值变得在空间上非均匀,系统无法再用假设序参量均匀的传统无序超导体研究方法进行描述。在强无序 regime 下,我们发现系统分解为由大配对幅值构成的超导性岛屿,被一种绝缘海洋分隔。我们指出,这种非均匀性对系统的物理性质具有重要影响,例如超流密度和态密度。我们发现,无论无序程度如何,态密度中都存在有限的谱隙,并对此现象作出详尽的解释。随后,我们推广 Anderson 将配对精确本征态的想法,使之包含空间非均匀的配对幅值,证明其能够定性地捕捉完整 BdG 分析中的许多非平凡特征。最后,我们研究了由关于非均匀超导态的量子相涨落驱动的 gapped 绝缘态转变。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0012304,
  title  = {Inhomogeneous Pairing in Highly Disordered s-wave Superconductors},
  author = {Amit Ghosal and Mohit Randeria and Nandini Trivedi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0012304},
  year   = {2013}
}

备注

15 pages, 16 figures