通过测量磁量子振荡识别不均匀性

本研究探讨了通过半金属 NbSb$_2$ 中的磁量子振荡分析来识别样品不均匀性。通过掺杂 Bi 和 Cr，我们获得了均匀的 Bi 掺杂样品和不均匀的 Cr 掺杂样品，其均匀性通过比较样品研磨前后的磁量子振荡得到证实。不均匀样品中的磁量子振荡表现出明显的相移和不寻常的依赖于磁场的振幅，这被认为是由不均匀的费米能引起的。对磁量子振荡的分析表明，均匀的 Bi 掺杂样品可以用对称和洛伦兹型的有效费米能分布来解释，而不均匀的 Cr 掺杂样品表现出不对称分布，说明了对 Lifshitz-Kosevich 公式的反常违背。本研究提供了一种识别材料不均匀性的新方法，并减轻了对磁量子振荡反常相位的潜在误读，这种反常相位在拓扑材料研究中通常被视为非常规 Berry 相的指示。