掺杂水平对GaAs中布里渊振荡的影响
材料科学
2019-11-26 v1 应用物理
摘要
时域布里渊散射已被证明是确定深度相关材料特性的独特工具。在此，我们展示了GaAs中掺杂水平对布里渊振荡的影响。测量在本征、n型和p型GaAs样品上进行。结果表明布里渊振荡的振幅对掺杂浓度高度敏感。理论计算与实验数据吻合良好。该工作为作为深度函数的特定掺杂剖面分析提供了见解。
引用
@article{arxiv.1910.13344,
title = {Influence of doping level on Brillouin oscillations in GaAs},
author = {Adam Dodson and Andrey Baydin and Hongrui Wu and Halina Krzyzanowska and Norman Tolk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.13344},
year = {2019}
}