高斯无序势下双节点外尔半金属中的诱导磁电导率

测量由杂质诱导的磁电导率可能有助于确定杂质分布并揭示外尔半金属样品的结构。为了验证这一点，我们利用高斯无序势来模拟双节点外尔半金属模型中的带电杂质，并研究带电杂质对外尔半金属磁电导率的影响。我们首先计算纵向磁电导率，发现其为正值且与控制带电杂质高斯分布的参数成比例增加，表明存在负纵向磁阻（NLMR）。然后我们同时考虑谷内和谷间散射过程来计算该模型中诱导的横向磁电导率。我们的研究结果表明，谷间和谷内散射过程在计算横向磁电导率时均起重要作用。外尔节点的位置也可以通过磁电导率测量来确定。如果已知磁场强度和带电杂质密度，这是可能的。或者，一旦外尔节点的位置被确定，磁电导率的测量可能揭示给定样品中带电杂质的分布。这些发现有助于探测外尔半金属样品的结构，增进对外尔半金属中磁输运的理解，并促进谷电子学的发展。