具有施主和受主杂质的外尔半金属的电导率

我们研究了具有施主和受主杂质的外尔半金属中的输运现象。在足够高的温度下，输运由电子 - 电子相互作用主导，而低温电阻率则来自准粒子在屏蔽杂质上的散射。利用图技术，我们计算了杂质主导区域中的电导率 $\sigma(T,\omega,n_A,n_D)$，作为温度 $T$、频率 $\omega$ 以及施主浓度 $n_A$ 和受主浓度 $n_D$ 的函数，并讨论了低温与高温区域以及杂质浓度区域之间的交叉行为。在具有小有效精细结构常数 $\alpha$ 的充分补偿材料 [$|n_A-n_D|\ll(n_A+n_D)$] 中，$\sigma(\omega,T)\propto T^2/(T^{-2}-i\omega\cdot\text{const})$ 适用于广泛的温度区间。对于极低温度或未补偿材料的情况，输运有效地表现为金属性。我们讨论了实现每种区域所需的实验条件。