节线半金属中的电子输运

我们研究含有带电杂质的节线半金属中的电导率。该系统中库仑势的屏蔽与在传统金属或半导体中发现的定性不同，屏蔽势 $\phi$ 在很宽的距离 $r$ 区间内以 $\phi \propto 1/r^2$ 衰减。这种不寻常的屏蔽导致了作为温度、掺杂水平和杂质浓度函数的丰富多样的导电区域。特别地，节线半金属在化学势 $\mu$ 趋于零的极限下表现出发散迁移率 $\propto 1/|\mu|$，电导率对温度的线性依赖 $\sigma \propto T$，以及一个对磁场具有强各向异性依赖的大弱局域化修正。