杂质诱导 Fe/MgO 隧道结中垂直磁各向异性的增强
材料科学
2016-01-25 v1 介观与纳米尺度物理
计算物理
摘要
利用第一性原理计算，我们研究了铬 (Cr) 和钒 (V) 杂质对 Fe/MgO 磁隧道结中磁各向异性和自旋极化的影响。通过层分辨各向异性计算技术证明，虽然界面附近的杂质会急剧降低垂直磁各向异性 (PMA)，但其在体相内的位置允许保持较高的表面 PMA。此外，有效磁各向异性表现出强烈的从面内到面外特征转变的趋势，这是 Cr 和 V 浓度的函数；在杂质浓度高于 20% 时，有利于约 1.5 nm 厚 Fe 层的面外磁化方向。与此同时，自旋极化未受影响，且在大多数情况下甚至得到增强，有利于隧道磁电阻 (TMR) 值的增加。
引用
@article{arxiv.1404.3523,
title = {Impurity induced enhancement of perpendicular magnetic anisotropy in Fe/MgO tunnel junctions},
author = {A. Hallal and B. Dieny and M. Chshiev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.3523},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 3 figures