受阻反铁磁体CuFeO2中杂质掺杂诱导的铁电性
强关联电子
2015-06-25 v1
摘要
我们研究了三角晶格反铁磁体CuFeO2及其位点稀释类似物CuFe1-xAlxO2（x=0.01和0.02）在施加和不施加磁场条件下的介电响应。我们发现x=0.02时在零磁场下存在铁电行为。在任何掺杂水平下，铁电性的起始场总是与非共线磁结构的起始场一致，而转变场随Al掺杂急剧降低至零场。结果表明，通过位点掺杂和外部磁场调控受阻自旋结构，有望进一步产生铁电性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611255,
title = {Impurity-doping induced ferroelectricity in frustrated antiferromagnet CuFeO2},
author = {S. Seki and Y. Yamasaki and Y. Shiomi and S. Iguchi and Y. Onose and Y. Tokura},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611255},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures