通过横向泄漏调控改善周期性极化 LNOI 波导中的二次谐波性能
光学
2019-09-12 v2
摘要
本文研究了绝缘体上铌酸锂（LNOI）中线性与非线性光学波导的横向泄漏影响。考察了氮化硅（SiN）负载型与直接图形化铌酸锂截面。我们表明，由于材料的双折射特性，LNOI 脊形波导（X 切铌酸锂）中的 TE 模会发生横向泄漏。本工作给出了设计不受横向泄漏效应影响的 LNOI 波导的准则。通过应用这些设计考量，我们避免了 LNOI 非线性光学波导在二次谐波波长处的横向泄漏效应，并展示了约 1160% W⁻¹cm⁻² 的峰值二次谐波产生转换效率。
引用
@article{arxiv.1906.02383,
title = {Improved second harmonic performance in periodically poled LNOI waveguides through engineering of lateral leakage},
author = {Andreas Boes and Lin Chang and Markus Knoerzer and Thach G. Nguyen and Jon D. Peters and John E. Bowers and Arnan Mitchell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.02383},
year = {2019}
}