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二元序列峰值旁瓣电平的改进界限

组合数学 2015-12-04 v2 信息论 math.IT 概率论

摘要

Schmidt 在 2014 年证明,若 ε>0\varepsilon>0,几乎所有长度为 nn 的二元序列的峰值旁瓣电平介于 (2ε)nlogn(\sqrt{2}-\varepsilon)\sqrt{n\log n}(2+ε)nlogn(\sqrt{2}+\varepsilon)\sqrt{n\log n} 之间。由于他的上下界之间间隙很小,很难找到对几乎所有二元序列成立的改进上界。在本注记中,我们证明若 ε>0\varepsilon>0,则几乎所有长度为 nn 的二元序列的峰值旁瓣电平至多为 2n(logn(1ε)loglogn)\sqrt{2n(\log n-(1-\varepsilon)\log\log n)},并且我们给出了一个对长度为 nn 的二元序列的正比例成立的稍好的上界。

关键词

引用

@article{arxiv.1511.05023,
  title  = {Improved bounds on the peak sidelobe level of binary sequences},
  author = {Idris Mercer},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1511.05023},
  year   = {2015}
}

备注

Added Corollary 4 and its proof