像电荷屏蔽：一种提高磁有序温度的新方法
材料科学
2009-05-29 v1 强关联电子
摘要
我们测试了像电荷屏蔽这一概念，将其作为一种提高超薄膜中磁有序温度和超交换相互作用的新方法。使用生长在 Ag(100) 上的 3 个单层 NiO(100) 薄膜和生长在 MgO(100) 上的同等厚度薄膜作为模型系统，我们观察到，位于高极化率金属衬底上的 NiO 薄膜的 Néel 温度为 390 K，而位于低极化率绝缘体衬底上的薄膜则低于 40 K。这表明，通过高极化率介质进行屏蔽可能为设计具有显著改善磁性能的强关联氧化物纳米结构提供了一条实用途径。
引用
@article{arxiv.0806.1710,
title = {Image charge screening: a new approach to enhance magnetic ordering temperatures},
author = {S. Altieri and M. Finazzi and H. H. Hsieh and M. W. Haverkort and H. -J. Lin and C. T. Chen and S. Frabboni and G. C. Gazzadi and A. Rota and S. Valeri and L. H. Tjeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:0806.1710},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures