纳米尺度导体中d轨道通道的不良接触效应
介观与纳米尺度物理
2009-01-30 v1
摘要
利用非平衡格林函数形式下的本征通道分解方法，从理论上研究了纳米尺寸棒中的电子电流。电子局域密度和局域电流等物理性质被分解为本征通道的贡献。我们观察到，在d轨道系统中，倏逝模和非线性电导得到增强，并讨论了透射函数、局域电流密度和穿透深度的结构。d轨道系统中电极不良接触的两个效应——倏逝模和电导非线性——被认为源于左右引线化学势之间能量区域内本征通道透射函数的峰结构。
引用
@article{arxiv.0809.3078,
title = {Ill-Contact Effects of d-Orbital Channels in Nanometer-Scale Conductor},
author = {Hiroshi Shinaoka and Takeo Hoshi and Takeo Fujiwara},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.3078},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 7 figures