URu2Si2 中杂化驱动的正交晶格不稳定性
强关联电子
2013-12-02 v1
摘要
我们通过高频超声测量，在脉冲磁场 H || [001] 高达 61.8 T 的条件下，在 1.5 至 116 K 的宽温度范围内，测量了 URu2Si2 中的弹性常数 (C11-C12)/2。我们发现 (C11-C12)/2 的降低仅出现在 URu2Si2 表现出重电子态和隐序的温度和磁场区域。(C11-C12)/2 的这种变化似乎是 5f 电子对具有 {\Gamma}3 对称性的正交且体积守恒的应变场 \epsilon_xx-\epsilon_yy 的响应。这种晶格不稳定性可能与由于局域 f 电子与传导电子杂化而产生的对称性破缺能带不稳定性有关，并且可能与该化合物的隐序参量相关联。
引用
@article{arxiv.1311.3748,
title = {Hybridization-Driven Orthorhombic Lattice Instability in URu2Si2},
author = {T. Yanagisawa and S. Mombetsu and H. Hidaka and H. Amitsuka and M. Akatsu and S. Yasin and S. Zherlitsyn and J. Wosnitza and K. Huang and M. Janoschek and M. B. Maple},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.3748},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 4 figures