具有氮化硅延伸腔的混合集成锁模激光二极管
光学
2021-05-06 v2
摘要
集成半导体锁模激光器在许多应用中展现出潜力，并可利用通用 InP 光子集成平台便捷地制造。然而，此类平台所提供的无源波导具有相对较高的线性和非线性损耗，限制了这些激光器的性能。通过例如外腔延伸此类激光器，可显著提升其性能。在本文中，我们首次演示了采用对接耦合集成技术、使用芯片级氮化硅波导可实现高性能锁模激光器。采用与平台无关的 SiN/SU8 耦合器设计，在氮化硅外腔与 III/V 有源芯片之间进行耦合。我们演示了重复频率为 2.18 GHz 和 15.5 GHz 的锁模激光器，其洛伦兹线宽比单片 InP 平台上所演示的结果小几个数量级。对于 2.18 GHz 激光器，其射频线宽为 31 Hz。
引用
@article{arxiv.2102.13020,
title = {Hybrid integrated mode-locked laser diodes with a silicon nitride extended cavity},
author = {Ewoud Vissers and Stijn Poelman and Camiel Op de Beeck and Kasper Van Gasse and Bart Kuyken},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.13020},
year = {2021}
}
备注
Submitted to Optics Express