用于室温下按需单光子发射的混合电致发光器件
光学
2024-08-06 v2 应用物理
摘要
近期研究聚焦于由层状半导体托管的单光子发射器 (single photon emitters, SPEs)，尤其是六方形硼氮化物 (hexagonal boron nitride, hBN)，其显示出为量子点 (quantum dots, QDs) 用于产生单光子、不可区分光子的有前景的替代方案。hBN 基 SPEs 具有较低的材料成本、室温发射以及易于集成到潜在光电子器件中的优势，由于该主机晶体的层状结构。本工作提出紧凑型混合电致发光器件，其中使用 GaN 激光二极管 (laser diodes, LDs) 进行自底向上激发，激发 hBN 纳米薄片其沉积在激光构面上。我们的方法规避了从 hBN 中产生电致发光的问题，同时无需通过外部激光实现对 SPE 信号的访问。使用配备 Bragg 反射器的激光二极管，确认了室温下 hBN 单光子发射，其二阶关联函数 g(2) 显示出 80% 的谷。通过以脉冲方式驱动激光二极管，演示了室温下按需单光子发射，测得的 g(2)(0) 值为 0.37，进一步支持了该结果。
引用
@article{arxiv.2408.00719,
title = {Hybrid electroluminescence device for on-demand single photon generation at room temperature},
author = {Aleksander Rodek and Mateusz Hajdel and Kacper Oreszczuk and Anna Kafar and Muhammed Aktas and Lucja Marona and Marek Potemski and Czeslaw Skierbiszewski and Piotr Kossacki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.00719},
year = {2024}
}