CaAgBi 材料家族中的混合 Dirac 半金属
材料科学
2017-09-12 v1
摘要
基于形成机制，三维系统中的 Dirac 点可分为偶然型与本质型。前者可进一步分为 I 型和 II 型，取决于 Dirac 锥谱是否沿特定方向完全倾覆。在此，我们预测在具有填充 Wurtzite 结构的 CaAgBi 家族材料的低能能带结构中，这三类 Dirac 点共存。两对偶然 Dirac 点位于旋转轴上，其中一对为 I 型，另一对为 II 型；而另一个本质 Dirac 点被钉扎在 Brillouin 区边界的高对称点上。由于空间反演对称性破缺，偶然 Dirac 点附近的能带简并除沿旋转轴外完全解除，这可能使得在手性 p-n 结处发生具有双重负折射效应的手性载流子分裂。我们阐明了它们的对称性保护机制，并发现了 Dirac 锥和 Fermi 弧拓扑表面态。
引用
@article{arxiv.1706.03915,
title = {Hybrid Dirac Semimetal in CaAgBi Materials Family},
author = {Cong Chen and Shan-Shan Wang and Lei Liu and Zhi-Ming Yu and Xian-Lei Sheng and Ziyu Chen and Shengyuan A. Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.03915},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 6 figures