强太赫兹激发下半导体纳米线中的热电子动力学
介观与纳米尺度物理
2024-08-22 v1 材料科学
摘要
我们报道了利用自由电子激光器FELBE的太赫兹辐射，对硅掺杂GaAs-InGaAs核壳纳米线进行的太赫兹泵浦/中红外探测近场研究。在太赫兹激发自由载流子时，我们观察到振幅谱和相位谱中等离子体共振的红移，并将其归因于导带电子的加热。对加热电子分布的模拟预示，L谷和X谷中均有显著的电子布居。利用双温度模型，对不同功率水平下太赫兹泵浦时电子气温度的动力学进行了定量分析。
引用
@article{arxiv.2403.17195,
title = {Hot electron dynamics in a semiconductor nanowire under intense THz excitation},
author = {Andrei Luferau and Maximilian Obst and Stephan Winnerl and Alexej Pashkin and Susanne C. Kehr and Emmanouil Dimakis and Felix G. Kaps and Osama Hatem and Kalliopi Mavridou and Lukas M. Eng and Manfred Helm},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.17195},
year = {2024}
}
备注
Manuscript + Supplementary Information