开关硫族化合物中的热载流子陷阱限制输运
材料科学
2012-11-21 v1
摘要
硫族化合物材料因其在新型存储系统中的应用而在过去十年中受到极大关注。事实上，相变存储器目前已进入早期生产阶段。尽管此类材料已得到工业应用，但支配其开关机制的物理过程仍存在争议。在本文中，我们建立了一个完整且自洽的非晶硫族化合物材料输运模型，该模型基于伴随载流子加热的陷阱限制导电机制。我们将先前的模型扩展为包含位置依赖的载流子浓度和电场，并通过泊松方程将其一致地联系起来。新模型的结果复现了实验电学特性及其对器件长度和温度的依赖性。此外，该模型为开关现象提供了可靠的物理解释，并能够根据材料参数估算阈值条件，这一信息具有重要的技术价值。
引用
@article{arxiv.1208.1635,
title = {Hot-carrier trap-limited transport in switching chalcogenides},
author = {Enrico Piccinini and Andrea Cappelli and Fabrizio Buscemi and Rossella Brunetti and Daniele Ielmini and Massimo Rudan and Carlo Jacoboni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.1635},
year = {2012}
}
备注
26 pages - 7 figures, 1 table + appendix Submitted to Journal of Applied Physics - no supplemental material available on arXiv.org