基于二次谐波产生显微镜的单根弯曲ZnO纳米线晶格畸变高灵敏检测
光学
2016-08-01 v1
摘要
基于ZnO纳米线（NWs）的纳米发电机在纳米尺度实现能量转换，这归因于ZnO NWs晶格畸变引起的压电特性。晶格畸变可显著调控电子与光学性质，需要一种灵敏且便捷的测量的方法。然而，高分辨透射电子显微镜（HRTEM）技术对晶格间距变化的灵敏度有限（0.01 nm）且需要真空条件。在此，我们展示了利用二次谐波产生（SHG）显微镜对单根弯曲ZnO NWs中晶格畸变的高灵敏度检测。随着单根弯曲ZnO NW的曲率增加至21 mm-1（<4%弯曲畸变），其相对于ZnO NWs的c轴的垂直与平行激发偏振之间的SHG强度比显示出显著下降（~70%）。重要的是，还观察到了非凡的非轴对称SHG偏振图样，表明存在绕ZnO NWs的c轴的扭曲畸变。因此，SHG显微镜提供了一种灵敏的全光学非侵入式方法，用于在各种条件下原位检测晶格畸变。
引用
@article{arxiv.1512.01935,
title = {Highly-sensitive detection of the lattice distortion in single bent ZnO nanowires by second-harmonic generation microscopy},
author = {Xiaobo Han and Kai Wang and Hua Long and Hongbo Hu and Jiawei Chen and Bing Wang and Peixiang Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.01935},
year = {2016}
}