SiC 上外延石墨烯中的高效自旋输运
材料科学
2013-07-08 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
自旋信息处理是后 CMOS（互补金属氧化物半导体）电子学的一种可能的新范式，而长距离的高效自旋传播是这一愿景的基础。然而，尽管经过几十年的深入研究，合适的平台仍然缺失。我们在此报道了基于在碳化硅上生长的高迁移率外延石墨烯的双端极化器/分析器器件中的高效自旋输运。利用高阻抗注入/检测隧道结，我们展示了高达 75% 的自旋输运效率、兆欧范围的自旋信号以及超过 100 {\mu}m 的自旋扩散长度。这使得复杂结构中的自旋电子学成为可能：依赖于自旋信息处理的器件和网络架构，远超当前的自旋电子学应用，现在可以预见。
引用
@article{arxiv.1307.1555,
title = {Highly efficient spin transport in epitaxial graphene on SiC},
author = {Bruno Dlubak and Marie-Blandine Martin and Cyrile Deranlot and Bernard Servet and Stéphane Xavier and Richard Mattana and Mike Sprinkle and Claire Berger and Walt A. De Heer and Frédéric Petroff and Abdelmadjid Anane and Pierre Seneor and Albert Fert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.1555},
year = {2013}
}