缺陷锡锌矿ZnGa2Se4和缺陷黄铜矿CdGa2S4结构与相变的高压X射线衍射研究
材料科学
2008-09-29 v1
摘要
在金刚石对顶砧中，对闪锌矿衍生物ZnGa2Se4和CdGa2S4进行了压缩至23 GPa的X射线衍射测量。ZnGa2Se4在15.5 GPa以下呈现缺陷四方锡锌矿型结构（I-42m），在15.5 GPa至18.5 GPa范围内，低压相与高压相共存，后者稳定至23 GPa。在CdGa2S4中，我们发现缺陷四方黄铜矿型结构（I-4）稳定至17 GPa。超过此压力后，发生压力诱导相变。在两种材料中，高压相均被表征为缺陷立方NaCl型结构（Fm-3m）。压力诱导相变的发生显然与所研究半导体中阳离子无序度的增加有关。此外，这些结果使得能够评估轴向压缩性并确定每种化合物的状态方程。将所得结果与先前报道的同构二镓硒化物进行了比较。最后，对23种不同的闪锌矿相关ABX2和AB2X4化合物中压力诱导相变的系统研究表明，相变压力随着化合物阳离子半径与阴离子半径之比的增加而增加。
引用
@article{arxiv.0809.4620,
title = {High-pressure x-ray diffraction study on the structure and phase transitions of the defect-stannite ZnGa2Se4 and defect-chalcopyrite CdGa2S4},
author = {D. Errandonea and R. S. Kumar and F. J. Manjon and V. V. Ursaki and I. M. Tiginyanu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.4620},
year = {2008}
}
备注
34 pages, 3 tables, 6 figurea