基于 V 的超导量子干涉近邻晶体管的高工作温度

在此，我们报告了基于在超导环路中实现钒（V）的全超导量子干涉近邻晶体管（SQUIPTs）的制备与表征。在低温下，器件表现出高通量-电压（高达 0.52$\ \textrm{mV}/\Phi_0$）和通量-电流（高于 12$\ \textrm{nA}/\Phi_0$）转移函数，在固定电压偏置下达到了约 2.6$\ \mu\Phi_0/\sqrt{\textrm{Hz}}$ 的最佳估计通量灵敏度，其中 $\Phi_0$ 为磁通量子。干涉仪最高可在 $T_\textrm{bath}\simeq$ 2 $\textrm{K}$ 下工作，与早期的 SQUIPTs 设计相比，最高工作温度提升了 70$\%$。基于一个简化的理论模型描述了基于 V 的 SQUIPT 的主要特征。我们的结果为开发 SQUIPTs 开辟了道路，这类器件利用高能隙超导体，适用于在远高于 1 K 温度下工作的超灵敏纳米级应用。