超导射频腔中由杂质分布导致的高场 Q 斜率缓解
加速器物理
2020-07-29 v2
摘要
在本研究中，我们提出了关于超导射频腔中高场 Q 斜率起源的新见解。使用连续的氢氟酸冲洗来探测两个经低温氮注入制备的体铌超导腔的射频性能随材料去除量的变化。研究表明氮注入仅影响原生氧化层下方最初数十纳米。电解抛光腔典型的髙场 Q 斜率行为在十几次氢氟酸冲洗后确实完全恢复。高场 Q 斜率随材料去除的重新出现通过伦敦对超导体中屏蔽电流的局域描述建模，很好地拟合了实验数据，并表明具有数十纳米量级扩散长度的间隙杂质层可缓解高场 Q 斜率。
引用
@article{arxiv.2005.05396,
title = {High-Field Q-slope Mitigation due to Impurity Profile in Superconducting Radio-Frequency Cavities},
author = {Mattia Checchin and Anna Grassellino},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.05396},
year = {2020}
}