Nb 类型超导导体腔体中氢化物形成与耗散的计算图景
超导电性
2025-09-18 v1 加速器物理
摘要
将表面氢化物与 Q 疾病联系起来，以及随后开发消除表面氢化物的方法，是超导导体腔体研制取得的伟大成功之一。我们使用时依赖 Ginzburg-Landau 方程来扩展氢化物耗散理论至亚表面氢化物。正如表面氢化物导致 Q 疾病行为一样，我们显示亚表面氢化物导致高场 Q 斜率 (HFQS) 行为。我们发现 HFQS 的突然启动源于从无涡旋状态向涡旋渗透状态的转变。我们表明，通过控制杂质掺杂中的氢化物大小和深度可消除 HFQS。
引用
@article{arxiv.2509.13555,
title = {A Computational Picture of Hydride Formation and Dissipation In Nb SRF Cavities},
author = {Aiden Harbick and Mark Transtrum and Nathan Sitaraman and Tomás Arias and Matthias Liepe},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.13555},
year = {2025}
}
备注
11 pages, 9 figures