利用单模压缩实现高保真度谐振腔诱导相位门
量子物理
2016-05-11 v1
摘要
我们提议利用窄带单模压缩驱动来提高电路 QED 中双量子比特谐振腔诱导相位门的保真度。我们证明存在最优压缩角和压缩强度，可擦除从腔中泄漏的量子比特“路径”信息，从而在门操作期间最小化量子比特退相干。我们对门保真度的解析结果与考虑了压缩辐射源动力学的级联主方程数值模拟极为一致。利用现实参数，我们发现有可能实现门时间 200 ns、平均非保真度 的受控相位门。
引用
@article{arxiv.1601.03275,
title = {High-fidelity resonator-induced phase gate with single-mode squeezing},
author = {Shruti Puri and Alexandre Blais},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.03275},
year = {2016}
}