通过非对称并行共振激发实现稳健的高保真受控双量子比特门
量子物理
2026-04-09 v1
摘要
在偶极-偶极相互作用系统中实现高保真受控双量子比特门（如稀土离子晶体）受到谱不均性和弱耦合的限制。现有方法常依赖偏移脉冲，易受频率误差和AC Stark位移的影响。我们提出一种稳健的共振方案，用于实现任意受控双量子比特门，利用非对称激发和脉冲工程实现解耦且平行的量子比特控制。稀土离子ensemble量子比特的仿真结果表明，在170 kHz的脱靶范围内，开关保真度可达99%以上，脱靶激发率低于0.2%。该方法为谱密集系统中的量子计算提供了一条稳健、可扩展的路径。
引用
@article{arxiv.2604.07163,
title = {Robust and High-Fidelity Controlled Two-Qubit Gates via Asymmetric Parallel Resonant Excitation},
author = {Licheng Lin and Jize Han and Peng Zhu and Ziyu Wang and Ying Yan and Jie Lu and Zhiguo Huang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.07163},
year = {2026}
}
备注
18 pages, 7 figures