薄膜 Ni81Fe19 中无功率阈值的 GHz 高效倍频
材料科学
2015-06-17 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了在中等输入功率下，经历铁磁共振 (FMR) 的薄膜 Ni81Fe19 产生的高效二次谐波生成。生成的二次谐波功率与输入功率呈二次方关系，其上转换比率比铁氧体中展示的比率高出三个数量级。生成的二次谐波信号表现出显著低于低功率 Gilbert 阻尼预测的线宽，且无需阈值即可激发。结果与 Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG) 方程的解析近似展开吻合良好。
引用
@article{arxiv.1309.7483,
title = {High-efficiency GHz frequency doubling without power threshold in thin-film Ni81Fe19},
author = {Cheng Cheng and William E. Bailey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.7483},
year = {2015}
}