π介子及其他一些介子衰变中隐藏的物理

人们通常假设带电介子(如 π 介子和 K 介子)轻子衰变中的赝标量贡献受到比值 $R_{l/l'} = \Gamma(P \rightarrow l\nu[\gamma])/\Gamma(P \rightarrow l'\nu[\gamma])$ 中海利克斯抑制的强约束,其中 $P$ 为带电赝标量介子,$l,l' = e,\mu,\tau$。在此我们表明,若有效耦合正比于相应的带电轻子质量(以及 PMNS 矩阵),则来自 $R_{l/l'}$ 的约束被完全规避,参数空间中允许一个相当新的大允许区域。对于电子,我们在 $10^{-4}\lesssim (G^\eta/G_F) \lesssim 10^{-3}$ 范围内发现一个非平凡区域,其中 $G^\eta$ 是与一种新颖带电标量场 $\eta$ 相关的有效赝标量耦合,$G_F$ 为费米常数。此外,我们表明赝标量耦合对带电轻子质量的这种依赖可自然地与标准模型之外物理的一类关键模型相关联,即标量 sector 中无(轻子)味改变中性流的模型。最著名的例子是满足所谓 Glashow-Weinberg-Paschos 定理的模型。最后,我们还指出,在这些情况下,衰变率与标准模型预言简并,可能在这些衰变中隐藏新物理效应。