少层石墨烯/InGaN量子点结中光电流增强的六边形网络
介观与纳米尺度物理
2024-08-05 v2
摘要
二维(2D)材料中的应变因其对电子和光学性质的显著修饰而备受关注。然而，新兴的机电磁现象与隐藏机制，如应变超晶格诱导的拓扑态或应变梯度下的挠曲电效应，仍存在争议。在此，我们利用扫描光电流显微镜，在由应变少层石墨烯和InGaN量子点构成的混合垂直结器件中观察到显著的光电流增强。光电响应与光致发光测量表明了一种与少层石墨烯中挠曲电效应密切相关的可能机制，其中应变可诱导横向内建电场并辅助电子-空穴对分离。光电流映射揭示出前所未有的有序六边形网络，暗示通过应变工程构建超晶格的潜力。我们的工作为应变存在下的光电现象提供了见解，并为应变2D材料的相关实际应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2203.12988,
title = {Hexagonal network of photocurrent enhancement in few-layer graphene/InGaN quantum dot junctions},
author = {Guanghui Cheng and Zijing Jin and Chunyu Zhao and Chengjie Zhou and Baikui Li and Jiannong Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.12988},
year = {2024}
}