双岛金属-半导体器件中的热库仑阻塞效应
介观与纳米尺度物理
2026-02-04 v2
摘要
我们研究了由两个金属岛嵌入在整数量子霍尔制式下二维电子气中构成的介观器件的热输运特性。结果表明，将连接岛与外部浴液的个球形边缌通道以及个岛间通道在热库仑阻塞现象中发挥核心作用。与单岛情况不同，在单岛情况下，热通量恰好减少一个量子热导率；在双岛情况下，我们预测还有一种额外的抑制，比例因子为。我们进一步考察了岛屿位于不同温度的电极之间的配置，确定何时会违反温德兰-弗兰茨定律的条件。
引用
@article{arxiv.2511.06783,
title = {Heat Coulomb blockade in a double-island metal-semiconductor device},
author = {A. V. Parafilo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.06783},
year = {2026}
}