$\alpha$-GaN 热容：同位素效应
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
直到最近，GaN 的热容仅测量了多晶粉末样品。近年来已有半经验模型和首次性计算方法。本文报道了对六方态单晶 GaN 在 20-1400K 温度范围内的热容测量。我们发现数据与多晶材料的文献值有显著偏差。近年来已对单原子晶体如金刚石、硅和锡的热容在同位素质量上的依赖性进行了研究。对于多原子晶体，预期这些热容在每个同位素质量上的依赖性会不同。此类研究以前未见。我们还对 GaN 作为典型二元材料的热容在每个 Ga 和 N 质量上的依赖性进行了首次性计算。结果表明，Ga 质量主要影响声子，N 质量则主要影响光子，这二者确实不同。期望这些计算将激励对二元及更复杂半导体同位素质量热容依赖性的实验测量。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503522,
title = {Heat capacity of $\alpha$-GaN: Isotope Effects},
author = {R. K. Kremer and M. Cardona and E. Schmitt and J. Blumm and S. K. Estreicher and M. Sanati and M. Bockowski and I. Grzegory and T. Suski and A. Jezowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503522},
year = {2009}
}
备注
12 pages, 5 Figures, submitted to PRB