温度对 AlGaN/GaN 中二维 terahertz plasmons 及电子有效质量的影响
光学
2025-05-13 v1
摘要
实验研究了温度对大面积 AlGaN/GaN 电子强化晶体中二维 plasmons 的影响。随着温度升高，共振 plasmon 频率因 AlGaN 表面暴露于环境条件下电子有效质量和电子浓度的强温度依赖性而发生红移。通过循环共振测量确认了电子有效质量的温度依赖性。
引用
@article{arxiv.2505.07557,
title = {Effect of temperature on 2D terahertz plasmons and electron effective mass in AlGaN/GaN},
author = {M. Dub and P. Sai and D. Yavorskiy and Y. Ivonyak and P. Prystawko and R. Kucharski and G. Cywinski and W. Knap and S. Rumyantsev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.07557},
year = {2025}
}
备注
e.g.: 28 pages, 14 figures