无序电子掺杂 Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+\delta}$ 薄膜中的霍尔电阻率关联

研究了电子掺杂 Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_{4+\delta}$/SrTiO$_3$ 单晶薄膜在反铁磁（AF）–超导（SC）相变附近且具有不同无序度（$\delta$）时，其电阻率张量在混合态磁场依赖关系中的关联 $\rho_{xy}$($B$)$\sim$ $[\rho_{xx}(B)]^\beta$。$\beta$ 从 $x$ = 0.14 时的 1.2$\pm$0.2 下降到 $x$ = 0.15 时的 0.6$\pm$0.1，这指出了从欠掺杂区到最佳掺杂区的转变中，外磁场下配对对称性从各向异性 $s$ 波到 $d$ 波变化的证据。混合态中涡旋运动的幂律依赖特征可能与层状电子掺杂超导体中非化学计量无序的某些特性有关。