轴子绝缘体中的半量子化螺旋棱电流
介观与纳米尺度物理
2024-02-07 v1
摘要
我们提出,半量子化螺旋棱电流可作为轴子绝缘体(AI)的特征标志。这些螺旋棱电流微观上源于无质量侧表面狄拉克电子在棱处全反射所产生的横向古斯-汉欣(GH)位移。同时,由于AI具有有质量的顶面和底面,由GH位移诱导的螺旋电流是半量子化的。半经典波包分析揭示,该棱电流具有拓扑起源,且其半量子化对参数变化具有鲁棒性。最后,我们提出了一种实验上可行的六端器件,通过测量非互易电导来识别半量子化棱通道。我们的结果增进了对AI中非平庸输运和拓扑磁电响应的理解。
引用
@article{arxiv.2203.12982,
title = {Half-Quantized Helical Hinge Currents in Axion Insulators},
author = {Ming Gong and Haiwen Liu and Hua Jiang and Chui-Zhen Chen and X. C. Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.12982},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 4 figures (+ supplementary materials 15 pages, 5 figures)