1/4填充能带之字形梯子的基态与有限温度行为
强关联电子
2014-07-28 v2 超导电性
摘要
我们考虑1/4填充能带中最简单的晶格阻挫例子：一条具有次近邻相互作用的一维链。对于这种同时存在电子-电子以及电子-声子相互作用的之字形梯子，我们给出了基态以及热力学性质的数值结果。在该系统中，基态键畸变模式与电子-电子相互作用强度无关。之字形梯子基态中的自旋能隙随阻挫程度增加而增大。与一维情况不同——在一维中自旋能隙转变和电荷有序转变可以是分离的——我们证明在梯子中它们同时发生。我们讨论了具有一维、二维或三维晶体结构的1/4填充材料中的自旋能隙和电荷有序转变。我们经验性地表明，无论维度如何，同时或分离的电荷与磁转变的发生可以与基态键畸变模式相关联。
引用
@article{arxiv.1108.4169,
title = {Ground state and finite temperature behavior of 1/4-filled band zigzag ladders},
author = {R. T. Clay and J. P. Song and S. Dayal and S. Mazumdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.4169},
year = {2014}
}
备注
12 pages, 8 eps figures