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陈-西蒙斯扩展电动力学的格林函数方法:描述拓扑绝缘体的有效理论

其他凝聚态物理 2015-12-23 v1 高能物理 - 唯象学 高能物理 - 理论

摘要

利用格林函数(Green's function, GF)方法分析了陈-西蒙斯(Chern-Simons, CS)电动力学扩展所产生的边界效应。我们考虑电磁场耦合到一个θ\theta-项,其方式已被提出作为拓扑绝缘体(topological insulators, TI)正确的低能有效作用量。我们取θ\theta项在由公共界面Σ\Sigma分隔的空间不同区域中为分段常数,该界面称为θ\theta-边界。由边界存在引起的特征,如磁电效应,在CS扩展电动力学中已知,并且针对某些实验装置在特定的源配置下已找到解。本工作中,我们阐明一种构造GF的方法,其允许在给定θ\theta-边界且源配置任意其他情况下求解CS修正的场方程。该方法通过求解平面θ\theta-边界的情况加以说明,但也可应用于柱面和球面几何,其中θ\theta-边界可由给定坐标保持恒定的曲面表征。计算了与点状电荷相互作用的平面TI的静态场(由θ\theta的平面不连续性描述),并与先前报道的结果成功比较。我们还通过两种不同方法计算电荷与θ\theta-边界之间的力,使用能量动量张量方法以及通过GF计算的交互能。还分析了无限长直载流导线。

关键词

引用

@article{arxiv.1511.01170,
  title  = {Green's function approach to Chern-Simons extended electrodynamics: an effective theory describing topological insulators},
  author = {A. Martín-Ruiz and M. Cambiaso and L. F. Urrutia},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1511.01170},
  year   = {2015}
}