暴胀有效场论中的引力子非高斯性与宇称破缺

我们研究暴胀有效场论(EFT)中的引力子非高斯性。在导数阶的领头（二阶）处，引力子双谱由爱因斯坦引力固定。在三阶处仅有两项贡献，其中一项破缺宇称。它们来自直接涉及叶状结构的算符：因此我们预期在涉及引力子和标量的三点函数中存在可观的非高斯性。然而，我们证明在慢滚的领头阶，宇称奇算符并不修改这些混合关联函数。随后我们确定了在四阶导数处可影响引力子双谱的算符。有两个算符保持宇称。我们表明，若 $M^2_{\rm P}A_{\rm s}/\Lambda^2\gg 1$（其中 $\Lambda$ 是压制该算符的尺度，$A_{\rm s}$ 为标量功率谱振幅），其中一个算符给出的标量-张量-张量三点函数大于 Maldacena, 2003 中的计算值。在此导数阶处仅有两种宇称奇算符。