渐变折射率 SCH 晶体管激光器：不同限制结构分析
介观与纳米尺度物理
2016-11-03 v1 光学
摘要
采用新的限制结构配置来改善单量子阱晶体管激光器的光电性能，包括阈值电流、交流电流增益以及光带宽和光输出功率。考虑到电子电流密度中除扩散项外的漂移分量，建立了一个新的连续性方程来分析所提出的结构。计算了新结构的物理参数，包括电子迁移率、复合寿命、光限制因子、电子俘获时间和光子寿命。基于在分离限制异质结构中求解连续性方程，阈值电流降低了 67%，光输出功率增加了 37%。
引用
@article{arxiv.1611.00583,
title = {Graded index SCH transistor laser: Analysis of various confinement structures},
author = {Mohammad Hosseini and Hassan Kaatuzian and Iman Taghavi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.00583},
year = {2016}
}