多电子态中的全局纠缠与双占据

我们使用一种全局纠缠度量——即平均位点混合度——来研究多电子态中的纠缠。我们考察了无相互作用电子的金属态、强关联电子的长冈态和古茨威勒态，以及超导态。半填充的无关联金属态似乎使纠缠最大化，因为这些态优化了空穴数和双占据位点数。我们明确计算了一维古茨威勒投影多电子态的纠缠，由于这些态中双占据被抑制，其纠缠较小。我们计算了倾向于促进双占据的超导态中的纠缠作为能隙的函数，并发现其低于金属态的纠缠。存在一个非零单位点并发度（concurrence）的区域，其取决于能隙。