双栅格栅极石墨烯场效应晶体管中的巨等离激元不稳定性
介观与纳米尺度物理
2016-06-15 v2
摘要
我们利用玻尔兹曼方程的自洽模拟，研究了由直流电流注入在双栅格栅极石墨烯场效应晶体管中诱发的等离激元不稳定性。在仅考虑声学声子限制的电子散射时，证明在室温下，频率位于太赫兹/中红外范围的等离激元不稳定性的总增长率可超过 s，比基于常规半导体的二维电子气中的大一个数量级。通过将模拟结果与现有理论比较，揭示出这一巨大总增长率源于所谓的Dyakonov-Shur与Ryzhii-Satou-Shur不稳定性的同时发生。
引用
@article{arxiv.1601.08108,
title = {Giant Plasmon Instability in Dual-Grating-Gate Graphene Field-Effect Transistor},
author = {Y. Koseki and V. Ryzhii and T. Otsuji and V. V. Popov and A. Satou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.08108},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 5 figures