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石墨烯中太赫兹频率下通过受激发射实现的等离激元放大

介观与纳米尺度物理 2007-06-13 v2 材料科学

摘要

我们表明,二维石墨烯中的等离激元在太赫兹频率下可以具有净增益。在粒子数反转的石墨烯层中,等离激元与带间电子 - 空穴跃迁的耦合可以通过受激发射过程导致等离激元放大。我们计算了不同电子 - 空穴密度和温度下的等离激元增益,并表明即使在考虑带内散射引起的等离激元能量损失的情况下,对于 10910^{9}-101110^{11} cm2^{-2} 范围内的电子 - 空穴密度,在 1-10 太赫兹频率范围内增益值也可超过 10410^{4} cm1^{-1}。研究发现,当带内散射时间短于 100 fs 时,等离激元表现出净增益。如此高的增益值可能允许制造尺寸在 1-10 μ\mum 范围内的极紧凑太赫兹放大器和振荡器。

关键词

引用

@article{arxiv.0704.0607,
  title  = {Plasmon Amplification through Stimulated Emission at Terahertz Frequencies in Graphene},
  author = {Farhan Rana and Faisal R. Ahmad},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0704.0607},
  year   = {2007}
}

备注

13 pages, 9 figures