二维 III 族氮化物中的巨型激子吸收与发射
材料科学
2019-12-24 v5
摘要
本文系统地利用从头计算方法研究了 BN、AlN、GaN 和 InN 的类本征半导体单层的吸收与发射。我们计算了包含准粒子和激子效应的面内和面外光偏振吸收光谱。基于能带结构讨论了吸收边和激子束缚随阳离子的化学趋势。利用二维激子的 Keldysh 模型解释了激子束缚能和局域化半径。强烈的激子效应源于低维性、限域效应和减弱的屏蔽之间的相互作用。我们发现，在室温下激子辐射寿命从十分之几皮秒（BN）到十分之几纳秒（InN）不等，从而使二维氮化物，尤其是 InN，成为发光二极管和高性能太阳能电池的有前途材料。
引用
@article{arxiv.1903.12031,
title = {Giant excitonic absorption and emission in two-dimensional group-III nitrides},
author = {Maria Stella Prete and Davide Grassano and Olivia Pulci and Ihor Kupchak and Valerio Olevano and Friedhelm Bechstedt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.12031},
year = {2019}
}