拓扑绝缘体-石墨烯异质结构中的巨埃德尔斯坦效应
介观与纳米尺度物理
2017-12-18 v3
摘要
仅通过电流控制铁磁体的磁化强度需要高效产生电流驱动的自旋力矩。在基于拓扑绝缘体（TIs）的磁性结构中，可以产生电流诱导的自旋轨道力矩。本文我们证明，在基于TI的磁性结构中添加石墨烯或双层石墨烯，能极大地增强电流诱导的自旋密度积累，并显著降低耗散功率。我们发现这种增强可高达100倍，从而产生巨埃德尔斯坦效应。如此大的增强归因于石墨烯（双层石墨烯）的高迁移率，以及石墨烯（双层石墨烯）片层能非常有效地屏蔽电荷杂质——拓扑绝缘体中无序的主要来源。我们的结果表明，在自旋电子学器件中集成石墨烯可以极大地提升其性能和功能。
引用
@article{arxiv.1610.04229,
title = {Giant Edelstein effect in Topological-Insulator--Graphene heterostructures},
author = {M. Rodriguez-Vega and G. Schwiete and J. Sinova and E. Rossi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.04229},
year = {2017}
}
备注
8 pages, 10 figures