砷化铟表面几何增强的量子振荡信号与非零 Berry 相位
介观与纳米尺度物理
2015-03-20 v1
摘要
在同时存在表面和体导电通道的系统中，如何从源于体相的巨大背景中提取微弱的表面 Shubnikov-de Haas 振荡信号，是一个长期存在的挑战。抑制体导电的传统方法通常涉及掺杂，这是一种通过降低体载流子密度来实现的侵入性手段。在此，我们提出一种几何方法，即在砷化铟（InAs）外延层上附着金属分流器，以重新分布电流，从而增强振荡与背景的比率。这使得我们首次在砷化铟表面观测到清晰的量子振荡和非零 Berry 相位。我们还确认了 InAs 表面上存在 Rashba 型自旋 - 轨道相互作用，其耦合常数约为 1 eVÅ。我们预期这种非侵入性架构在拓扑绝缘体等类似系统中具有广泛的适用性。
引用
@article{arxiv.1503.05833,
title = {Geometrically Enhanced Quantum Oscillatory Signal and Nonzero Berry's Phase in Indium Arsenide Surface},
author = {Jian Sun and Xuhui Wang and Sadamichi Maekawa and Aurelien Manchon and Jurgen Kosel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.05833},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures