耗散量子电路中Transmon的几何相位

超导电路展现出作为具有多种用途的物理器件的潜力。在这些用途中，系统状态累积的几何相位这一基本概念反复出现，例如在几何门的构建中。在此框架下，我们研究了一个典型装置——耦合到超导谐振腔的transmon所获得的几何相位。我们分别考虑了演化是幺正的情况以及受到耗散效应影响的情况。这些模型分别提供了在完美腔或耗散腔内非简谐系统与电磁场单模相互作用的全面量子描述。在耗散模型中，非幺正效应源于transmon与其环境耦合导致的退相干、弛豫和衰减。我们的方法能够比较这些模型中获得的几何相位，从而深入理解环境存在所引入的修正。